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2003 Aug 20 2
NXP Semiconductors
Product data sheet
Schottky barrier diode 1PS10SB82
FEATURES
?
Low forward voltage
?
Low diode capacitance
?
Leadless ultra small plastic package
(1.0
mm
×
0.6
mm
×
0.5
mm)
?
Boardspace 1.17
mm2
(approx. 10% of SOT23)
?
Power dissipation comparable to SOT23.
APPLICATIONS
?
UHF mixers
?
Sampling circuits
?
Modulators
?
Phase detectors
?
Mobile communication, digital (still) cameras, PDA’s and
PCMCIA cards.
DESCRIPTION
An epitaxial Schottky barrier diode encapsulated in a
SOD882 leadless ultra small plastic package.
ESD sensitive device, observe handling precautions.
handbook, halfpage
MDB391
Bottom view
Fig.1 Simplified outline (SOD882), pin
configuration and symbol.
Marking code:
S5.
The marking bar indicates the cathode.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC
60134).
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
VR
continuous reverse voltage
?
15
V
IF
continuous forward current
?
30
mA
Tstg
storage temperature
?65
+150
°C
Tj
junction temperature
?
150
°C
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